渦流探傷時影響試驗線圈阻抗的主要因素可從如下特性函數(shù)中表現(xiàn)出來：1－η＋μrμeff   式中：η--填充系數(shù)；μr--相對磁導率；μeff--有效磁導率。即影響試驗線圈阻抗的主要因素有：電導率、磁導率、試件的形狀尺寸、缺陷及試驗頻率等。渦流探傷電導率：如果電導率σ變，則特征頻率ｆg變[ｆg=1/(2πμσα2)，α是試件半徑]，貝塞爾函數(shù)的變量變，有效磁導率變，試驗線圈阻抗變。電導率的變化，在阻抗圖中影響阻抗值在曲線上的位置。

 

　　渦流探傷磁導率：非磁性材料，因為μr近似為1，所以對阻抗無影響；磁性材料，因為μr遠大于1，所以直接影響有效磁導率值、特征函數(shù)值和阻抗值。磁性材料試件的阻抗隨相對磁導率μr值的增大而增大。渦流探傷試件幾何尺寸：試件幾何尺寸通常以直徑(或半徑)描述。試件直徑的變化，不僅影響有效磁導率(分析參見電導率分析)，而且影響填充系數(shù)。因此，試件幾何尺寸對試驗線圈阻抗的影響是雙重的。

 

　　渦流探傷缺陷：缺陷對試驗線圈阻抗的影響可以看作是電導率、幾何尺寸兩個參數(shù)影響的綜合結果。由于試件中裂紋位置、深度和形狀的綜合影響結果，使缺陷對試驗線圈阻抗的影響無法進行理論計算，渦流探傷通常是借助于模型進行實驗。試驗頻率：試驗頻率對試驗線圈阻抗的影響表現(xiàn)在頻率比ｆ／ｆg上，由于有效磁導率是以頻率比ｆ／ｆg為參變量的，隨著試驗頻率的不同，試驗線圈在曲線上的位置發(fā)生改變。

 

　　渦流探傷時，標準試件的用途及制作注意事項各有三點要注意，首先我們來分析標準試件的用途：

 

　　①調(diào)節(jié)和檢驗設備：渦流探傷試驗前，使用對比試件調(diào)節(jié)試驗參數(shù)，確定試驗狀態(tài)；試驗過程中，使用對比試件檢驗設備工作是否政黨可靠。

 

　　②確定質(zhì)量驗收標準：試驗中，根據(jù)對比試件上的人工缺陷的指示信號為基準，確定受檢試件是否合格。

 

　　③檢查設備性能：渦流探傷主要性能有靈敏度、分辨力、末端效應長度、人工缺陷的重要性等。

 

　　分析完標準試件的用途接下來我們來關注標準試件的制作注意事項是哪三點：

 

　　①材料選擇：渦流探傷應使材料片號、熱處理狀態(tài)、尺寸、形狀、加工程序、表面光潔度等應與受檢試件相同。

 

　　②人工缺陷加工：制作時不允許材質(zhì)發(fā)生變化，不允許留有殘余應力；制作完畢，人工缺陷內(nèi)不允許殘存金屬粉末；為防止末端效應，渦流探傷應使人工缺陷與末端相距200mm以上；人工缺陷有兩個以上時，為防止相互干擾，間距也應在200mm以上。

 

　　③人工缺陷的寬度及深度均應測量。

 

　　一次完整的渦流探傷不僅僅只是一個過程還需要一份完整的報告，所以渦流探傷報告應包括的主要內(nèi)容：A．試驗日期   B．試驗名稱  C．試件名稱、數(shù)量及簡單示意圖  D．試驗裝置   E．試驗線圈  F．試驗條件(頻率、靈敏度、相位、濾波抑制、磁飽和電流等)   G．標準試件和判廢標準  H．渦流探傷試驗結果及缺陷簡單示意圖   I．試驗人員姓名及技術資格。